Γαλατά Σωτηρία

Εργαστήριο: ZB113, Κτήριο Ζ, Παν/πολη Αρχαίου Ελαιώνα
Γνωστικό Αντικείμενο (ΦΕΚ): Ανάπτυξη και Χαρακτηρισμός Μικροηλεκτρονικών Διατάξεων

Σπουδές

2005 – Διδακτορικό Δίπλωμα – School of Electronics and Physical Sciences, Advanced Technology Institute (ATI), University of Surrey – UK
2000 – Πτυχίο Φυσικής – Τμήμα Φυσικής – Σχολή Θετικών Επιστημών – Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης

Ερευνητικά Ενδιαφέροντα

• Ευφυή φορετά υλικά
• Τριβοηλεκτρισμός σε υφάνσιμες δομές
• Διηλεκτρική φασματοσκοπία πολυμερών με προσμίξεις γραφενίου και νανοσωλήνων άνθρακα
• Κατασκευή ηλεκτρονικών διατάξεων τύπου μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού με βάση το γερμάνιο χρησιμοποιώντας τη μέθοδο της επιταξίας με μοριακές δέσμες (ΜΒΕ)
• Δομικός χαρακτηρισμός με τις τεχνικές περίθλασης Ακτίνων-Χ (XRD, XRR) αλλά και ηλεκτρονικής μικροσκοπίας διελεύσεως (TEM)
• Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός των παραπάνω ηλεκτρονικών διατάξεων (σε θερμοκρασία δωματίου και χαμηλότερων θερμοκρασιών)
• Θεωρητική επεξεργασία των παραπάνω πειραμάτων. Υπολογισμός της διηλεκτρικής σταθεράς του οξειδίου των ηλεκτρονικών διατάξεων MOS
• Ποιοτική ανάλυση των επιφανειών των διηλεκτρικών με χρήση της τεχνικής φασματοσκοπίας ηλεκτρονίων ακτίνων Χ (XPS) και της φασματοσκοπίας ηλεκτρονίων υπεριώδους (UPS)

Αντιπροσωπευτικές Δημοσιεύσεις

1. Α. Repoulias, S. Vassiliadis, S.F. Galata, ‘Triboelectricity and textile structures’, Journal of the Textile Institute, 112(10), pp. 1580-1587 (2021).
2. Boscherini, F. D’Acapito, S.F. Galata, D. Tsoutsou, A. Dimoulas, ‘Atomic scale mechanism for the Ge-induced stabilization of the tetragonal, very high-κ, phase of ZrO2, Applied Physics Letters 99 (12), pp. 121909 (2011).
3. Ioannou-Sougleridis, S.F. Galata, E. Golias, T. Speliotis, A. Dimoulas, D. Giubertoni, S. Gennaro, M. Barozzi, ‘High performance n+/p and p+/n germanium diodes at low-temperature activation annealing’, Microelectronic Engineering 88 (3), pp. 254-261 (2011).
4. Dimoulas, D. Tsoutsou, S.F. Galata, Y. Panayiotatos, G. Mavrou, E. Golias, ‘Ge surfaces and its passivation by rare earth lanthanum germanate dielectric’, ECS Transactions 33 (6), pp. 433-446 (2010).
5. F. Galata, G. Mavrou, P. Tsipas, A. Sotiropoulos, Y. Panayiotatos, and A. Dimoulas, ‘Metal-oxide-semiconductor devices on p-type Ge with La2O3 and ZrO2/La2O3 as gate dielectric and the effect of postmetallization anneal’, Journal of Vacuum Science and Technology B 27, 246 (2009)
6. Tsoutsou, G. Apostolopoulos, S. F. Galata, P. Tsipas, A. Sotiropoulos, G. Mavrou, Y. Panayiotatos, A. Dimoulas, A. Lagoyannis, A. G. Karydas, V. Kantarelou and S. Harissopoulos, ‘Stabilization of very high-k tetragonal phase in Ge-doped ZrO2 films grown by atomic oxygen beam deposition’, Journal of Applied Physics 106, 024107 (2009).
7. Dimoulas, Y. Panayiotatos, P. Tsipas, S. Galata, G. Mavrou, A. Sotiropoulos, C. Marchiori, C. Rossel, D. Webb, C. Andersson, M. Sousa, M. Richter, J. Fompeyrine, ‘Gate Dielectrics for High Mobility Semiconductors’, Journal of ECS Transactions 16 (5) 295 (2008).
8. Tsipas, S. N. Volkos, A. Sotiropoulos, S. F. Galata, G. Mavrou, D. Tsoutsou, Y. Panayiotatos, A. Dimoulas, C. Marchiori, and J. Fompeyrine, ‘Germanium-induced stabilization of a very high-k zirconia phase in ZrO2 /GeO2 gate stacks’, Journal of Applied Physics Letters, 93, 082904 (2008).
9. Mavrou, S. Galata, P. Tsipas, A. Sotiropoulos, Y. Panayiotatos, A. Dimoulas, E. K. Evangelou, J.W. Seo, Ch. Dieker, ‘Electrical properties of La2O3 and HfO2 / La2O3 gate dielectrics for Germanium MOS devices’ Journal of Applied Physics’, 103, 014506 (2008).
10. Mavrou, S. F. Galata, A. Sotiropoulos, P. Tsipas, Y. Panayiotatos, A. Dimoulas, E. K. Evangelou, J.W. Seo, Ch. Dieker, ‘Germanium metal-insulator-semiconductor capacitors with rare earth La2O3 gate dielectric’, Microelectronic Engineering 84 (9-10), pp. 2324-2327 (2007).
11. F. Galata, E.K. Evangelou, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, A. Dimoulas, ‘Post deposition annealing studies of lanthanum aluminate and ceria high-k dielectrics on germanium’, Microelectronics Reliability 47 (4-5 SPEC. ISS.), pp. 532-535 (2007).
12. F Galata, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam and K. P. Homewood, ‘Sulphur doped Silicon light emitting diodes’, Materials Science and Engineering B 124-125 (SUPPL.), pp. 435-439 (2005).
13. A. Lourenco, M. Milosavlijevic, S. Galata, M. S. A. Siddiqui, G. Shao, R. M. Gwilliam and K. P. Homewood, ‘Silicon based light emitting devices’, Journal of Vacuum 78, 551 (2005).
14. R. Power, O. Pulci, A. I. Shkrebtii, S. Galata, A. Astropekakis, K. Hinrichs, N. Esser, R. Del Sole and W. Richter, ‘Sb-induced (1×1) reconstruction on Si(001)’, Physical Review B 67, 115315 (2003).
15. Gwilliam, MA Lourenco, S Galata, KP Homewood, G Shao, ‘Efficient optical sources in silicon using dislocation engineering’, Photonics for Space Environments VIII, Proceedings of the Society of Photo-optical Instrumentation engineers (SPIE) 4823 155-161 (2002).
16. A. Astropekakis, J.R. Power, K. Fleischer, N. Esser, S. Galata, D. Papadimitriou, and W. Richter, ‘Influence of Sn on the optical anisotropy of single-domain Si(001)’, Physical Review B, 63, 085317 (2001)

Προπτυχιακά μαθήματα

• Εισαγωγή στα Ηλεκτρονικά (Β’ εξάμηνο)
• Διατάξεις Ημιαγωγών (ΣΤ’ εξάμηνο)

Μεταπτυχιακά μαθήματα

• Ειδικά συστήματα μετρήσεων, ΠΜΣ «Ηλεκτρικές και Ηλεκτρονικές Επιστήμες μέσω Έρευνας»

Βιογραφικό Σημείωμα